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              KRI 霍尔离子源 eH 2000
              阅读数: 8077

              KRI 霍尔离子源 eH 2000

              KRI 霍尔离子源 eH 2000
              上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
              尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
              放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
              操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

              KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
              水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
              可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少?;奔? 即插即用备用阳极
              宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
              多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
              高效的等离子转换和稳定的功率控制

              KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数

              型号

              eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

              供电

              DC magnetic confinement

                - 电压

              40-300V VDC

                - 离子源直径

              ~ 5 cm

                - 阳极结构

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              电源控制

              eHx-30010A

              配置

              -

                - 阴极中和器

              Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

                - 离子束发散角度

              > 45° (hwhm)

                - 阳极

              标准或 Grooved

                - 水冷

              前板水冷

                - 底座

              移动或快接法兰

                - 高度

              4.0'

                - 直径

              5.7'

                - 加工材料

              金属
              电介质
              半导体

                - 工艺气体

              Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

                - 安装距离

              16-45”

                - 自动控制

              控制4种气体

              * 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

              KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域
              •  离子辅助镀膜 IAD
              •  预清洗 Load lock preclean
              •  预清洗 In-situ preclean
              •  Direct Deposition
              •  Surface Modification
              •  Low-energy etching
              •  III-V Semiconductors
              •  Polymer Substrates

              1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

               

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