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              射频离子源 RFICP 220
              阅读数: 6976

              射频离子源 RFICP 220

              KRI 射频离子源 RFICP 220
              上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.

              KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

              型号

              RFICP 220

              Discharge 阳极

              RF 射频

              离子束流

              >800 mA

              离子动能

              100-1200 V

              栅极直径

              20 cm Φ

              离子束

              聚焦, 平行, 散射

              流量

              10-40 sccm

              通气

              Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

              典型压力

              < 0.5m Torr

              长度

              30 cm

              直径

              41 cm

              中和器

              LFN 2000


              KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域:
              预清洗
              表面改性
              辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
              溅镀和蒸发镀膜 PC
              离子溅射沉积和多层结构 IBSD
              离子蚀刻 IBE

              若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
              上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
              T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
              F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
              M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
              ec@hakuto-vacuum.cn                        ec@hakuto.com.tw
              上海伯东版权所有, 翻拷必究!

               

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