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              KRI 霍尔离子源 eH 系列
              阅读数: 6588

              KRI 霍尔离子源 eH 系列

              美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列
              美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.
              霍尔离子源

              美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性
              无栅极
              高电流低能量
              发散光束 >45
              可快速更换阳极???br /> 可选 Cathode / Neutralize 中和器

              美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用
              辅助镀膜 IBAD
              溅镀&蒸镀 PC
              表面改性、激活 SM
              沉积 (DD)
              离子蚀刻 LIBE
              光学镀膜
              Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
              Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

              例如
              1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀
              2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗
              3. 表面处理
              4. 表面硬化层镀膜
              5. 磁控溅射辅助镀膜
              7. 偏压离子束磁控溅射镀膜

              美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH

              霍尔离子源 eH 系列在售型号:

              型号

              eH200(停产)

              eH400
              eH400LE

              eH1000
              eH1000LE
              eH1000LO

              eH1000xO2 

              eH2000
              eH2000LE
              eH2000HO 

              eH3000
              eH3000LO
              eH3000MO

              Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

              Cathode/Neutralizer 

              F or HC

              F or HC

              F or HC

              F or HC

              F or HC
              HC
              HC

              HC

              阳极电压

              30-300V

              50-300V
              30-150V

              50-300V
              30-150V
              50-300V

              100-300V

              50-300V
              30-150V
              50-250V

              50-250V
              50-300V
              50-250V

              电流

              2A

              5A
              10A

              10A
              12A
              5A

              10A

              10A
              15A
              15A

              20A
              10A
              15A

              散射角度

              >45

              >45

              >45

              >45

              >45

              >45

              气体流量

              1-15sccm

              2-25sccm

              2-50sccm

              2-50sccm

              2-75sccm

              5-100sccm

              高度

              2.0“

              3.0“

              4.0“

              4.0“

              4.0“

              6.0“

              直径

              2.5“

              3.7“

              5.7“

              5.7“

              5.7“

              9.7“

              水冷

              可选

              可选

              可选

              可选

              F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

              1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

              若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式
              上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
              T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
              F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
              M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
              ec@hakuto-vacuum.cn                        ec@hakuto.com.tw
              上海伯东版权所有, 翻拷必究!

               

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