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              KRI 考夫曼离子源 KDC 40
              阅读数: 3293

              KRI 考夫曼离子源 KDC 40

              KRI 考夫曼离子源 KDC 40
              上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

              KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数

              型号

              KDC 40

              供电

              DC magnetic confinement

               - 阴极灯丝

              1

               - 阳极电压

              0-100V DC

              电子束

              OptiBeam™

               - 栅极

              专用, 自对准

               -栅极直径

              4 cm

              中和器

              灯丝

              电源控制

              KSC 1202

              配置

              -

               - 阴极中和器

              Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

               - 架构

              移动或快速法兰

               - 高度

              6.75'

               - 直径

              3.5'

               - 离子束

              集中
              平行
              散设

               -加工材料

              金属
              电介质
              半导体

               -工艺气体

              惰性
              活性
              混合

               -安装距离

              6-18”

               - 自动控制

              控制4种气体

              * 可选: 可调角度的支架


              KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
              溅镀和蒸发镀膜 PC
              辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
              表面改性, 激活 SM
              离子溅射沉积和多层结构 IBSD
              离子蚀刻 IBE

              其他产品
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