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              KRI 考夫曼离子源 KDC 75
              阅读数: 3099

              KRI 考夫曼离子源 KDC 75

              KRI 考夫曼离子源 KDC 75
              上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
               

              KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数

              型号

              KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)

              供电

              DC magnetic confinement

               - 阴极灯丝

              2

               - 阳极电压

              0-100V DC

              电子束

              OptiBeam™

               - 栅极

              专用, 自对准

               -栅极直径

              7.5 cm

              中和器

              灯丝

              电源控制

              KSC 1212 或 KSC 1202

              配置

              -

               - 阴极中和器

              Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

               - 安装

              移动或快速法兰

               - 高度

              7.9'

               - 直径

              5.5'

               - 离子束

              聚焦
              平行
              散设

               -加工材料

              金属
              电介质
              半导体

               -工艺气体

              惰性
              活性
              混合

               -安装距离

              6-24”

               - 自动控制

              控制4种气体

              * 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

              KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
              溅镀和蒸发镀膜 PC
              辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
              表面改性, 激活 SM
              离子溅射沉积和多层结构 IBSD
              离子蚀刻 IBE


              客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置
              美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
              考夫曼离子源 KDC 75

               

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