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              射频离子源 RFICP 40
              阅读数: 3360

              射频离子源 RFICP 40

              KRI 射频离子源 RFICP 40
              上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

              射频离子源 RFICP 40 特性:
              1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
              2. 离子源结构??榛杓? 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
              3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
              4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
              5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
              6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

              KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

              型号

              RFICP 40

              Discharge 阳极

              RF 射频

              离子束流

              >100 mA

              离子动能

              100-1200 V

              栅极直径

              4 cm Φ

              离子束

              聚焦, 平行, 散射

              流量

              3-10 sccm

              通气

              Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

              典型压力

              < 0.5m Torr

              长度

              12.7 cm

              直径

              13.5 cm

              中和器

              LFN 2000

              KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域:
              预清洗
              表面改性
              辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,
              溅镀和蒸发镀膜 PC
              离子溅射沉积和多层结构 IBSD
              离子蚀刻 IBE

              1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

              若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
              上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
              T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
              F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
              M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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