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              射频离子源 RFICP 100
              阅读数: 3423

              射频离子源 RFICP 100

              KRI 射频离子源 RFICP 100
              上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.

              KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数

              型号

              RFICP 100

              Discharge 阳极

              RF 射频

              离子束流

              >350 mA

              离子动能

              100-1200 V

              栅极直径

              10 cm Φ

              离子束

              聚焦, 平行, 散射

              流量

              5-30 sccm

              通气

              Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

              典型压力

              < 0.5m Torr

              长度

              23.5 cm

              直径

              19.1 cm

              中和器

              LFN 2000

              KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域
              预清洗
              表面改性
              辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
              溅镀和蒸发镀膜 PC
              离子溅射沉积和多层结构 IBSD
              离子蚀刻 IBE

              客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
              美国 KRI 射频离子源 RFICP 100
              美国 HVA 真空闸阀
              德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
              射频离子源

              1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

              若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
              上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
              T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
              F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
              M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
              ec@hakuto-vacuum.cn                        ec@hakuto.com.tw
              上海伯东版权所有, 翻拷必究!

               

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