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              霍尔效应测试仪 ezHEMS
              阅读数: 1378

              霍尔效应测试仪 ezHEMS

              霍尔效应测试仪 ezHEMS
              上海伯东英国 NanoMagnetics 仪器 ezHEMS 霍尔效应测试仪为 Van der Pauw 和 Hall Bar 测量提供了一个创新的解决方案. ezHEMS 霍尔效应测量独特的设计使得用户能够以最高分辨率和精度测量 80K 到500K 之间的样品, 所有的磁铁移动和温度变化都可以自动完成而不会改变组件.

              ezHEMS™ 霍尔效应测试仪软件支持不同测量数据记录和绘图: I-V 曲线, 电阻, 电阻率, 薄层电阻, 磁阻, 载流子浓度, 霍尔迁移率, 霍尔系数作为温度的函数

              霍尔效应测试仪

              霍尔效应测试仪 ezHEMS 主要用于测量半导体材料的载流子浓度, 迁移率, 电阻率, 霍尔系数, 导电类型等重要参数, 是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性的必备工具.

              霍尔效应测试仪 ezHEMS 主要由恒电流源, 范德堡法则终端转换器, 常温测量系统, 低温 ( 80K~常温 ) 测量系统, 高温 ( 常温~800K ) 测量系统及固定磁场强度输入系统组成, 拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置, 测试速度快, 测量精度高, 重复性好.

               


              霍尔效应测试仪 ezHEMS 主要特点
              恒电流源 ( 2nA ~ 20mA ) 采用六级电流范围设置, 将可以接收的误差降到最低; 范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声, 具有可靠的精度及重现性.
              具有常温, 液氮低温, 以及高温测量系统 ( 80 ~ 800K )
              恒定磁场( 0.6T )
              不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量
              测试速率快, 可同时测量得到体载流子浓度 ( Bulk carrier concentration ), 表面载流子浓度 ( Sheet carrier concentration ), 迁移率 ( Mobility ), 电阻率 ( Resistivity ), 霍尔系数 ( Hall coefficient ), 磁致电阻 ( Magnetoresistance ), 电阻的纵横比率( Vertical / Horizontal ratio of resistance ) 等参数.

              霍尔效应测试仪 ezHEMS 技术参数
              电阻率: 10-4 至 109 Ω-cm ( 样本依赖 )
              迁移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec ( 样本依赖 )
              载流子浓度: 10e7 至 1021 per cm-3 ( 样本依赖 )
              输入电流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
              最小霍尔电压测量: 0.1 μV
              支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形试样
              磁场强度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁铁
              温度范围 80-750K, 分辨率 ±0.2 K, 单一系统的整个温度范围
              可选更高的范围
              Pt-100 电阻温度计, 750K 加热器, PID 温控器
              通过 USB 接口进行电脑控制
              样品尺寸从 5x5 mm 至 15 mm x 15 mm, 适用样品厚度 < 2 mm
              样品测量板: 弹簧样品板
              ezHEMS 软件控制磁铁运动

              霍尔效应测试仪 ezHEMS 应用领域
              上海伯东英国 NanoMagnetics 仪器霍尔效应测试仪 ezHEMS 可广泛应用于半导体器件和半导体材料电学特性表征, 精确测量半导体材料的载流子浓度, 迁移率, 电阻率, 霍尔系数等重要参数.
              测量材料: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO ( including ITO ), AlZnO, FeCdTe, ZnO 等所有半导体薄膜
              材料导电类型判断 (P 型和 N 型 )
              材料载流子浓度, 迁移率, 方块电阻等参数测量
              材料掺杂杂质激活能测量

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