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              KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
              阅读数: 224

              KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻

              KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
              上海伯东美国 KRI 射频离子源安装在日本 NS 离子蚀刻机中, 对应用于半导体后端的 6寸晶圆进行刻蚀
              Hakuto (NS) 离子蚀刻机技术规格:

              型号

              NS 7.5IBE

              NS 10IBE

              NS 20IBE-C

              NS 20IBE-J

              适用范围

              适用于科研院所,实验室研究

              适合小规模量产使用和实验室研究

              适合中等规模量产使用的离子刻蚀机

              适合大规模量产使用的离子刻蚀机

              基片尺寸

              Φ4 X 1片或
              Φ6 X 1片

              φ8 X 1片

              φ3 inch X 8片
              φ4 inch X 6片
              φ8 inch X 1片

              Φ4 inch X 12片
              φ5 inch X 10片
              φ6 inch X 8片

              离子源

              8cm 或 10cm
              考夫曼离子源

              10cm NS离子源

              20cm 考夫曼离子源

              20cm 考夫曼离子源

              上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长
              RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等
              RFICP  系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等
               

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