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              KRI 霍尔离子源 eH 400
              阅读数: 7201

              KRI 霍尔离子源 eH 400

              美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
              上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
              尺寸: 直径= 3.7“  高= 3”
              放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
              操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

              KRI 霍尔离子源 eH 400 特性
              可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少?;奔? 即插即用备用阳极
              宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
              多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
              高效的等离子转换和稳定的功率控制

              KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

              型号

              eH 400 / eH 400 LEHO

              供电

              DC magnetic confinement

                - 电压

              40-300 V VDC

               - 离子源直径

              ~ 4 cm

               - 阳极结构

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              电源控制

              eHx-3005A

              配置

              -

                - 阴极中和器

              Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

                - 离子束发散角度

              > 45° (hwhm)

                - 阳极

              标准或 Grooved

                - 水冷

              前板水冷

                - 底座

              移动或快接法兰

                - 高度

              3.0'

                - 直径

              3.7'

                - 加工材料

              金属
              电介质
              半导体

                - 工艺气体

              Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

                - 安装距离

              6-30”

                - 自动控制

              控制4种气体

              * 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

              KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
              离子辅助镀膜 IAD
              预清洁 Load lock preclean
              In-situ preclean
              Low-energy etching
              III-V Semiconductors
              • Polymer Substrates

              1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

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